Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MOT7N65AF
Изображение служит лишь для справки
MOT7N65AF
- MOT
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 650V 7A 48W 1.1Ω@10V,3.5A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС:true
- Drain Source Voltage (Vdss):650V
- Power Dissipation (Pd):48W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,3.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):4V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):16pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds):1.4nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs):29nC@10V
- Пакет:Tube-packed
- Рабочая температура:-55℃~+150℃
- Тип:1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000