Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MOT8N65MD
Изображение служит лишь для справки
MOT8N65MD
-
MOT
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 650V 8A 55W 1.2Ω@10V,4A 4V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：650V
- Power Dissipation (Pd)：55W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,4A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：4V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：12pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：965pF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：28nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты