Изображение служит лишь для справки






PD25025F
-
Qorvo
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:QORVO INC
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
- Максимальный ток утечки (ID):4.25 A
- Количество элементов:1
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-CDFM-F2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения:65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима:S BAND
Со склада 0
Итого $0.00000