(0)
Изображение служит лишь для справки
APT752R4BN
-
Advanced Power Technology
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 750V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Максимальный ток утечки (ID)：5.5 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения макс. (toff)：79 ns
- Время включения макс. (ton)：42 ns
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-247AD
- Сопротивление открытого канала-макс：2.4 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：22 A
- Минимальная напряжённость разрушения：750 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：180 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：66 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：180 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
