(0)
Изображение служит лишь для справки
R1Q3A3618BBG-50R
-
Renesas Electronics Corporation
-
Память
- -
- 2MX18 QDR SRAM, 0.4ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：165
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS TECHNOLOGY CORP
- Код упаковки компонента：BGA
- Описание пакета：LBGA, BGA165,11X15,40
- Время доступа-максимум：0.4 ns
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：200 MHz
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество слов：2097152 words
- Количество кодовых слов：2000000
- Температура работы-Макс：70 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код пакета：LBGA
- Код эквивалентности пакета：BGA165,11X15,40
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：GRID ARRAY, LOW PROFILE
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：3A991.B.2.A
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：165
- Код JESD-30：R-PBGA-B165
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.6 mA
- Организация：2MX18
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Максимальная высота посадки：1.46 mm
- Ширина памяти：18
- Ток ожидания-макс：0.34 A
- Плотность памяти：37748736 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип ввода/вывода：SEPARATE
- Тип микросхемы памяти：QDR SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима：1.7 V
- Длина：17 mm
- Ширина：15 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
