(0)
Изображение служит лишь для справки
EDE5104AGSE-6E-E
-
Elpida Memory Inc
-
Память
- -
- DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：60
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：ELPIDA MEMORY INC
- Код упаковки компонента：BGA
- Описание пакета：TFBGA, BGA60,9X11,32
- Время доступа-максимум：0.45 ns
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：333 MHz
- Количество слов：134217728 words
- Количество кодовых слов：128000000
- Температура работы-Макс：85 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код пакета：TFBGA
- Код эквивалентности пакета：BGA60,9X11,32
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Код JESD-609：e1
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.28
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：60
- Код JESD-30：R-PBGA-B60
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9 V
- Градация температуры：OTHER
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.3 mA
- Организация：128MX4
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Максимальная высота посадки：1.2 mm
- Ширина памяти：4
- Ток ожидания-макс：0.01 A
- Плотность памяти：536870912 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：DDR2 DRAM
- Обновляющие циклы：8192
- Секвентальный длина импульса：4,8
- Межстрочный длина пакета：4,8
- Режим доступа：FOUR BANK PAGE BURST
- Автоперезапись：YES
- Длина：11.5 mm
- Ширина：11 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
