(0)
Изображение служит лишь для справки
IS46DR32801B-3DBLA1
-
Integrated Silicon Solution Inc
-
Память
- -
- Description: DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA126, 10.50 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-126
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：126
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- Описание пакета：TFBGA,
- Время доступа-максимум：0.45 ns
- Количество слов：8388608 words
- Количество кодовых слов：8000000
- Температура работы-Макс：85 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код пакета：TFBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：PROGRAMMABLE CAS LATENCY; SELF REFRESH
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.24
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PBGA-B126
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9 V
- Градация температуры：INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Организация：8MX32
- Максимальная высота посадки：1.2 mm
- Ширина памяти：32
- Плотность памяти：268435456 bit
- Тип микросхемы памяти：DDR2 DRAM
- Режим доступа：FOUR BANK PAGE BURST
- Автоперезапись：YES
- Длина：13.5 mm
- Ширина：10.5 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
