(0)
Изображение служит лишь для справки
KM44C4104BS-6
-
Samsung Semiconductor
-
Память
- -
- Description: EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, TSOP2-24
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：24
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Код упаковки компонента：TSOP2
- Описание пакета：TSOP2, TSOP24/26,.36
- Время доступа-максимум：60 ns
- Количество слов：4194304 words
- Количество кодовых слов：4000000
- Температура работы-Макс：70 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код пакета：TSOP2
- Код эквивалентности пакета：TSOP24/26,.36
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Номинальное напряжение питания (Вн)：5 V
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.02
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1.27 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：24
- Код JESD-30：R-PDSO-G24
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：5.5 V
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：4.5 V
- Количество портов：1
- Режим работы：ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.1 mA
- Организация：4MX4
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Максимальная высота посадки：1.2 mm
- Ширина памяти：4
- Ток ожидания-макс：0.001 A
- Плотность памяти：16777216 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：EDO DRAM
- Обновляющие циклы：2048
- Режим доступа：FAST PAGE WITH EDO
- Автоперезапись：NO
- Длина：17.14 mm
- Ширина：7.62 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
