(0)
Изображение служит лишь для справки
K4H511638F-LCB3T
-
Samsung Semiconductor
-
Память
- -
- DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：66
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Описание пакета：TSSOP, TSSOP66,.46
- Время доступа-максимум：0.7 ns
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：166 MHz
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Количество слов：33554432 words
- Количество кодовых слов：32000000
- Температура работы-Макс：70 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код пакета：TSSOP
- Код эквивалентности пакета：TSSOP66,.46
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
- Номинальное напряжение питания (Вн)：2.5 V
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.28
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Шаг выводов：0.635 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G66
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Градация температуры：COMMERCIAL
- Максимальный ток подачи：0.38 mA
- Организация：32MX16
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：16
- Ток ожидания-макс：0.005 A
- Плотность памяти：536870912 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：DDR1 DRAM
- Обновляющие циклы：8192
- Секвентальный длина импульса：2,4,8
- Межстрочный длина пакета：2,4,8
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
