Изображение служит лишь для справки
RFH25P10
-
Harris Semiconductor
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AC
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：HARRIS SEMICONDUCTOR
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Максимальный ток утечки (ID)：25 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения макс. (toff)：650 ns
- Время включения макс. (ton)：300 ns
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-218AC
- Сопротивление открытого канала-макс：0.15 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：60 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：150 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：600 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：150 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты