Изображение служит лишь для справки
FQD9N15TM
- Fairchild Semiconductor Corporation
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Код упаковки компонента:TO-252
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Максимальный ток утечки (ID):7 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252
- Сопротивление открытого канала-макс:0.4 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:28 A
- Минимальная напряжённость разрушения:150 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):80 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):45 W
Со склада 0
Итого $0.00000