ZXMN7A11GTC

Name: Diodes Incorporated ZXMN7A11GTC
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.7 (20 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 70V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, SOT-223, 4-PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：DIODES INC
Код упаковки компонента：TO-261AA
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Максимальный ток утечки (ID)：3.8 A
Уровни чувствительности к влажности：1
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD; FAST SWITCHING
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PDSO-G4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-261AA
Сопротивление открытого канала-макс：0.13 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：10 A
Минимальная напряжённость разрушения：70 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Со склада 0

Итого $0.00000