Изображение служит лишь для справки
APT1004RGN
-
Advanced Power Technology
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
- Максимальный ток утечки (ID)：3.3 A
- Количество элементов：1
- Материал корпуса пакета：METAL
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：PIN/PEG
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-MSFM-P3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-257AA
- Сопротивление открытого канала-макс：4 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：13.2 A
- Минимальная напряжённость разрушения：1000 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：100 W
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：100 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты