Изображение служит лишь для справки
RF1K49086
- Harris Semiconductor
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.132ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:HARRIS SEMICONDUCTOR
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Максимальный ток утечки (ID):3.5 A
- Количество элементов:2
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff):130 ns
- Время включения макс. (ton):50 ns
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:MS-012AA
- Сопротивление открытого канала-макс:0.132 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):2 W
Со склада 0
Итого $0.00000