Изображение служит лишь для справки
SP8K3
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：ROHM CO LTD
- Код упаковки компонента：SOT
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Максимальный ток утечки (ID)：7 A
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：2
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e2
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Copper (Sn/Cu)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.035 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：28 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты