Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
AZ23B3V0
-
Galaxy Microelectronics
-
Диоды - Зенеры - Одинарные
- -
- Zener Diode,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:3
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
- Количество элементов:2
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Максимальная мощность рассеяния:0.3 W
- Номинальный напряжений отсчета:3 V
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Нормативная Марка:MIL-STD-202
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Направленность:UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
- Тип диода:ZENER DIODE
- Допустимый напряжений предел:2%
- Тестовая рабочая токовая струя:5 mA
- Максимальный обратный ток:50 µA
- Динамическое сопротивление-макс:95 Ω
- Обратная тестовая напряжение:1 V
- Напряжение Темп Коэфф-Макс:-1.8 mV/°C
- Импеданс-наимакс коленной части:600 Ω
Со склада 0
Итого $0.00000