Изображение служит лишь для справки
SQR50N06-07L-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3
- Максимальный ток утечки (ID):50 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Код JESD-30:R-PSSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.009 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:100 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):125 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):136 W
Со склада 0
Итого $0.00000