Изображение служит лишь для справки
SSR4N60A
- Fairchild Semiconductor Corporation
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Описание пакета:DPAK-3
- Максимальный ток утечки (ID):2.8 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:2.5 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:11 A
- Минимальная напряжённость разрушения:600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):257 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):49 W
Со склада 0
Итого $0.00000