12N10G-TN3-R

Name: Unisonic Technologies Co Ltd 12N10G-TN3-R
Brand: Unisonic Technologies Co Ltd
Rating: 5 (9 reviews)

Unisonic Technologies Co Ltd
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252,
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Максимальный ток утечки (ID)：12 A
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-252
Сопротивление открытого канала-макс：0.18 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：48 A
Минимальная напряжённость разрушения：100 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：100 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：30 W

Со склада 0

Итого $0.00000