(0)
Изображение служит лишь для справки
2SC2695
-
Mitsubishi Electric
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CERAMIC, FM-6
Date Sheet
Lagernummer 366
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-CDFM-F6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：EMITTER
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：3 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：10 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：17 V
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：75 W
- Уголок мощности-минимум (Гп)：4.9 dB
Со склада 366
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
