Изображение служит лишь для справки
2SJ419
- SANYO Electric Co Ltd
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 0.082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:SANYO ELECTRIC CO LTD
- Код упаковки компонента:SOT
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Максимальный ток утечки (ID):4 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.082 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:32 A
- Минимальная напряжённость разрушения:12 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):2 W
Со склада 0
Итого $0.00000