Изображение служит лишь для справки
SVD830T
- Hangzhou Silan Microelectronics CO LTD
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO LTD
- Описание пакета:,
- Максимальный ток утечки (ID):5 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Код ECCN:EAR99
- Код соответствия REACH:compliant
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):87.5 W
Со склада 0
Итого $0.00000