BSZ023N04LSATMA1

Name: Infineon Technologies BSZ023N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (18 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
MOSFET MV POWER MOS
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：22A Ta 40A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.1W Ta 69W Tc
Время отключения：42 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2012
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：8
Код JESD-30：S-PDSO-F3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：13 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.35m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2630pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：37nC @ 10V
Время подъема：38ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：40A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：22A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0032Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：160A
Минимальная напряжённость разрушения：40V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：130 mJ
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000