Изображение служит лишь для справки
UT2304G-AB3-R
- Unisonic Technologies Co Ltd
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Максимальный ток утечки (ID):2.5 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-F3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.117 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:10 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):1.4 W
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:1.4 W
Со склада 0
Итого $0.00000