Изображение служит лишь для справки
UTT50N06L-TN3-R
- Unisonic Technologies Co Ltd
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Максимальный ток утечки (ID):50 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff):340 ns
- Время включения макс. (ton):260 ns
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252
- Сопротивление открытого канала-макс:0.02 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:200 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):120 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):114 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):100 pF
Со склада 0
Итого $0.00000