Изображение служит лишь для справки
STB6NC80Z
- STMicroelectronics
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- 5.4A, 800V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:STMICROELECTRONICS
- Код упаковки компонента:D2PAK
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Максимальный ток утечки (ID):5.4 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс:1.8 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:21 A
- Минимальная напряжённость разрушения:800 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):237 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):125 W
Со склада 0
Итого $0.00000