(0)
Изображение служит лишь для справки
IS64NLP25618EC-200B2LA3
-
Integrated Silicon Solution Inc
-
Память
- -
- ZBT SRAM, 256KX18, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：119
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- Код упаковки компонента：BGA
- Описание пакета：BGA, BGA119,7X17,50
- Время доступа-максимум：3.1 ns
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：200 MHz
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Количество слов：262144 words
- Количество кодовых слов：256000
- Температура работы-Макс：125 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код пакета：BGA
- Код эквивалентности пакета：BGA119,7X17,50
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：GRID ARRAY
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
- Код JESD-609：e1
- Код ECCN：3A991.B.2.A
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1.27 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Число контактов：119
- Код JESD-30：R-PBGA-B119
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.465 V
- Градация температуры：AUTOMOTIVE
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：3.135 V
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.235 mA
- Организация：256KX18
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Максимальная высота посадки：3.5 mm
- Ширина памяти：18
- Ток ожидания-макс：0.1 A
- Плотность памяти：4718592 bit
- Уровень фильтрации：AEC-Q100
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：ZBT SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима：3.14 V
- Длина：22 mm
- Ширина：14 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
