Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFHM8342TRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRFHM8342TRPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerTDFN
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.6W Ta 20W Tc
- Turn Off Delay Time：7.6 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：HEXFET®
- Published：2013
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：5
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：13mOhm
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：FLAT
- JESD-30 Code：S-PDSO-F5
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Number of Channels：1
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8.1 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：16m Ω @ 17A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.35V @ 25μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：560pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：7.5nC @ 4.5V
- Rise Time：30ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：5.6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：10A
- Threshold Voltage：1.8V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：20A
- DS Breakdown Voltage-Min：30V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты