(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SPS02N60C3BKMA1
Изображение служит лишь для справки
SPS02N60C3BKMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Trans MOSFET N-CH 650V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-251
Date Sheet
Lagernummer 315
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Рабочая температура (макс.)：175°C
- Опубликовано：2005
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-251
- Максимальный сливовой ток (ID)：1.8A
- Сопротивление открытого канала-макс：3Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：5.4A
- Минимальная напряжённость разрушения：600V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：50 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 315
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
