(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SJ668(TE16L1,NQ)
Изображение служит лишь для справки
2SJ668(TE16L1,NQ)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TOSHIBA - 2SJ668(TE16L1,NQ) - MOSFET, P-KANAL, 5A, 60V, DPAK
Date Sheet
Lagernummer 403
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：24 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：20W Tc
- Рабочая температура：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSIII
- Опубликовано：2010
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Завершение：SMD/SMT
- Распад мощности：20W
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：170m Ω @ 2.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：700pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
- Время подъема：14ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：14 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：5A
- Пороговое напряжение：2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Двухпитание напряжения：60V
- Номинальное Vgs：2 V
- REACH SVHC：Unknown
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 403
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
