(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TSM2N7000KCT A3G
Изображение служит лишь для справки
TSM2N7000KCT A3G
-
Taiwan Semiconductor Corporation
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Date Sheet
Lagernummer 25
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：300mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：400mW Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Box (TB)
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5 Ω @ 100mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7.32pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.4nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 25
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
