(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPC26N12NX2SA1
Изображение служит лишь для справки
IPC26N12NX2SA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- MOSFET N-CH 120V SAWN WAFER
Date Sheet
Lagernummer 482
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UNSPECIFIED
- Форма вывода：NO LEAD
- Код JESD-30：R-XXUC-N
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.1Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：120V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 482
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
