(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMPB55XNEAX
Изображение служит лишь для справки
PMPB55XNEAX
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN2020MD
Date Sheet
Lagernummer 1299
- 1+： $0.31570
- 10+： $0.29783
- 100+： $0.28097
- 500+： $0.26507
- 1000+： $0.25007
Zwischensummenbetrag $0.31570
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.8A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：550mW Ta
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Состояние изделия：Active
- Количество выводов：6
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Число контактов：6
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：72m Ω @ 3.8A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.25V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：255pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Максимальный сливовой ток (ID)：3.8A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.072Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1299
- 1+： $0.31570
- 10+： $0.29783
- 100+： $0.28097
- 500+： $0.26507
- 1000+： $0.25007
Итого $0.31570
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
