(0)
Изображение служит лишь для справки
TSM085NB03DCR
-
Taiwan Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- 30V 51A Dual N-Channel Power MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 43
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 3 years ago)
- Пороговая напряжённость / В：51 V
- Статус жизненного цикла производителя：ACTIVE (Last Updated: 3 years ago)
- Обратная напряженность отстоя：24 V
- Каналов количество：2
- Распад мощности：200 mW
- Максимальный обратный ток утечки：1 µA
- Уровень задержки：70.1 V
- Пиковый импульсный ток：21.4 A
- Максимальная импульсная мощность：1.5 kW
- Ток испытания：2.5 mA
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Напряжение включения：1 V
- Напряжение Зенера：75 V
- Время обратной рекомпенсации：50 ns
- Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：250 V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：1.8 V
- Входной ёмкости：1.091 nF
- Максимальное напряжение разрушения：9.8 V
- Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)：2.5 A
- Максимальная температура перехода (Тj)：150 °C
- Минимальная разрушающая напряжение：25.4 V
Со склада 43
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
