Изображение служит лишь для справки
BZT52B4V7-G
-
Taiwan Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- SOD-123 410mW 2% Small Signal Zener Diode
Date Sheet
Lagernummer 43
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 3 years ago)
- Пороговая напряжённость / В：51 V
- Статус жизненного цикла производителя：ACTIVE (Last Updated: 3 years ago)
- Обратная напряженность отстоя：43.6 V
- Распад мощности：410 mW
- Максимальный обратный ток утечки：1 µA
- Уровень задержки：70.1 V
- Пиковый импульсный ток：21.4 A
- Максимальная импульсная мощность：1.5 kW
- Ток испытания：5 mA
- Напряжение включения：1 V
- Напряжение Зенера：4.7 V
- Время обратной рекомпенсации：50 ns
- Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：250 V
- Максимальное напряжение разрушения：53.6 V
- Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)：2.5 A
- Максимальная температура перехода (Тj)：150 °C
- Минимальная разрушающая напряжение：48.5 V
Со склада 43
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты