Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HY3912W
Изображение служит лишь для справки
HY3912W
-
HUAYI
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 125V 190A 6.3mΩ@10V,85A 349W 3V@250uA 1 N-Channel TO-247A-3L MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 39
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- RoHS：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：125V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mΩ@10V,85A
- Power Dissipation (Pd)：349W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：465pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：7.348nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：185nC@10V
- Package：Tube-packed
- Type：1 N-Channel
Со склада 39
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты