Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HYG035N10NS1P
Изображение служит лишь для справки
HYG035N10NS1P
-
HUAYI
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 100V 180A 3.2mΩ@10V,50A 223.8W 3V@250uA 1 N-Channel TO-220FB-3L MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 113
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- RoHS：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：100V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：3.2mΩ@10V,50A
- Power Dissipation (Pd)：223.8W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：168pF@50V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：7.294nF@50V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：102nC@10V
- Package：Tube-packed
- Operating Temperature：-55℃~+175℃@(Tj)
- Type：1 N-Channel
Со склада 113
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты