Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SVF2N60RM
Изображение служит лишь для справки
SVF2N60RM
-
Hangzhou Silan Microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 600V 2A 3.7Ω@10V,1A 34W 4V@250uA 1 N-Channel TO-251 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：600V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：3.7Ω@10V,1A
- Power Dissipation (Pd)：34W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：4V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：2.7pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：250pF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：8.92nC@10V
- Пакет：Tube-packed
- Рабочая температура：-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты