Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MOT5N65C
Изображение служит лишь для справки
MOT5N65C
-
MOT
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 650V 5A 54W 2.2Ω@10V,2.5A 4V@250uA 1 N-Channel TO-251 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：650V
- Power Dissipation (Pd)：54W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@10V,2.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：4V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：2.9pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：623pF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：15nC@10V
- Пакет：Tube-packed
- Рабочая температура：-55℃~+150℃
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты