Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MDD50N06D
Изображение служит лишь для справки
MDD50N06D
-
MDD(Microdiode Semiconductor)
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 60V 50A 62.5W 12mΩ@10V,20A 1.8V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Drain Source Voltage (Vdss)：60V
- Power Dissipation (Pd)：62.5W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,20A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：92pF@30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：1.889nF@30V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：40nC@10V
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты