Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MDD15N10D
Изображение служит лишь для справки
MDD15N10D
-
MDD(Microdiode Semiconductor)
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 100V 15A 28W 95mΩ@10V,10A 1.8V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Drain Source Voltage (Vdss)：100V
- Power Dissipation (Pd)：28W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：95mΩ@10V,10A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：30pF@50V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：1.07nF@50V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：26nC@10V
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты