Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDS8878-G
Изображение служит лишь для справки
FDS8878-G
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOIC
- Mfr：onsemi
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10.2A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W (Ta)
- Серия：PowerTrench?
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Состояние изделия：Obsolete
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：14mOhm @ 10.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：897 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：26 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты