Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSZ105N04NSGATMA2
Изображение служит лишь для справки
BSZ105N04NSGATMA2
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- TRENCH <= 40V
Date Sheet
Lagernummer 30
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-TSDSON-8-1
- Mfr：Infineon Technologies
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A (Ta), 40A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：2.1W (Ta), 35W (Tc)
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Состояние изделия：Active
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10.5mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 14μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1300 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
Со склада 30
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты