Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMT10H010LSSQ-13
Изображение служит лишь для справки
DMT10H010LSSQ-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Date Sheet
Lagernummer 14
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SO
- Mfr：Diodes Incorporated
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.9W (Ta)
- Квалификация：AEC-Q101
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Состояние изделия：Active
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.5mOhm @ 13A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.8V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4166 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：58.4 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Класс：Automotive
Со склада 14
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты