Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI9435BDY-T1-E3-VB
Изображение служит лишь для справки
SI9435BDY-T1-E3-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 30V 4.1A 42mΩ@10V,5.8A 1.3W 2V@250uA 1 Piece P-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 89
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：30V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5.8A
- Power Dissipation (Pd)：1.3W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2V@250uA
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Тип：1 Piece P-Channel
Со склада 89
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты