(0)
Изображение служит лишь для справки
TPCS8208TE12LQM
-
Toshiba
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：8
- Case/Package：TSSOP
- РХОС：Compliant
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Сопротивление：17 mΩ
- Максимальная потеря мощности：600 mW
- Распад мощности：1.1 W
- Время подъема：5 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
- Непрерывный ток стока (ID)：6 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12 V
- Напряжение пробоя стока к истоку：20 V
- Входной ёмкости：2.16 nF
- Сопротивление стока к истоку：17 mΩ
- Rds на макс.：17 mΩ
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
