Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные AP120N04P
Изображение служит лишь для справки
AP120N04P
-
A Power microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 40V 120A 3mΩ@10V,30A 180W 2.8V@250uA 1 N-Channel TO-220-3L MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：40V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：3mΩ@10V,30A
- Power Dissipation (Pd)：180W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2.8V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：317pF@20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：4.9nF@20V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：80nC@10V
- Пакет：Tube-packed
- Рабочая температура：-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты