Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные CS5N60FA9HD
Изображение служит лишь для справки
CS5N60FA9HD
- Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 600V 5A 1.8Ω@10V,2A 30W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
- Date Sheet
Lagernummer 9
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС:true
- Drain Source Voltage (Vdss):600V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,2A
- Power Dissipation (Pd):30W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):4V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):8.5pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds):544pF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs):14.5nC@10V
- Пакет:Tube-packed
- Тип:1 N-Channel
Со склада 9
Итого $0.00000