Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HCF65R180
Изображение служит лишь для справки
HCF65R180
- HUAKE
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 650V 20A 54W 180mΩ@10V,10A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- RoHS:true
- Drain Source Voltage (Vdss):650V
- Power Dissipation (Pd):54W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,10A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):4V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):4pF@100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds):1170pF@100V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs):39nC@10V
- Package:Tube-packed
- Type:1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000