Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPW65R170M
Изображение служит лишь для справки
TPW65R170M
- WUXI UNIGROUP MICRO
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 650V 20A 150mΩ@10V,10A 151W 4.5V@250uA 1 N-Channel TO-247-3 MOSFETs ROHS
- Date Sheet
Lagernummer 38
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС:true
- Drain Source Voltage (Vdss):650V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,10A
- Power Dissipation (Pd):151W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):4.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):2.5pF@100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds):1.676nF@100V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs):38.5nC@10V
- Пакет:Tube-packed
- Рабочая температура:-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип:1 N-Channel
Со склада 38
Итого $0.00000